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BSZ050N03MS G-VB一种Single-N沟道DFN8(3X3)封装MOS管
2025-01-10
### 产品简介
**BSZ050N03MS G-VB** 是一款单极性N沟道功率MOSFET，封装为DFN8(3X3)。该MOSFET具有30V的漏源电压（VDS），支持最大±20V的栅极源电压（VGS）。其阈值电压（Vth）为1.7V，导通电阻为19mΩ（VGS=4.5V）和13mΩ（VGS=10V），最大漏电流为30A。MOSFET采用沟槽技术，设计用于高电流和中等电压的开关应用。
### 详细参数说明
- **型号**: BSZ050N03MS G-VB
- **封装**: DFN8(3X3)
- **配置**: 单极性N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅极源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 19mΩ @ VGS = 4.5V
- 13mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流 (ID)**: 30A
- **技术**: 沟槽技术
### 适用领域和模块
**BSZ050N03MS G-VB** 功率MOSFET 主要适用于以下领域和模块：
1. **电源管理**：在电源转换器和DC-DC转换器中作为开关元件，能够处理高电流负载，适合高效电源管理和转换。
2. **负载开关**：用于高电流负载开关应用，如电源模块和工业设备，提供高效电流控制，确保系统稳定运行。
3. **电动机驱动**：在电动机驱动系统中使用，适合高电流电动机控制，如电动工具和电动车辆，提供稳定的电流输出。
4. **功率调节**：在功率调节模块中，用于电流调节和控制，适合高电流电源模块和调节器，提高系统性能和效率。
