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BSS123-7-VB一种Single-N沟道SOT23-3封装MOS管
2025-01-09
### 产品简介
BSS123-7-VB是一款高电压单管N沟道MOSFET，封装形式为SOT23-3。该MOSFET具有100V的漏极-源极耐压和±20V的栅极-源极耐压，门槛电压为1.5V。采用Trench技术制造，虽然导通电阻较高，但仍适用于一些需要高电压耐受的开关应用。
### 参数说明
- **型号**: BSS123-7-VB
- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单管N沟道
- **漏极-源极耐压 (VDS)**: 100V
- **栅极-源极耐压 (VGS)**: ±20V
- **门槛电压 (Vth)**: 1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 4.5V栅极驱动下: 3000mΩ
- 10V栅极驱动下: 2800mΩ
- **漏极电流 (ID)**: 0.26A
- **技术**: Trench技术
### 应用领域
BSS123-7-VB适用于以下领域和模块：
1. **高电压开关**: 由于其高达100V的耐压能力，适用于需要高电压耐受的开关应用，如电源开关和高压控制。
2. **信号开关**: 在信号开关应用中，尽管导通电阻较高，但其高耐压特性使其适合处理较高电压的信号。
3. **保护电路**: 用于保护电路中，作为高电压下的开关元件，提供电流切换和电压保护。
4. **小功率开关**: 在小功率设备中作为开关元件，尤其是在需要高电压的场合，如电子设备中的开关控制。
该MOSFET的高电压耐受能力使其在处理高电压开关和保护应用中具有优势。
