B70NF03L-VB TO263一种Single-N沟道TO263封装MOS管
2025-01-07
### B70NF03L-VB MOSFET 产品简介
B70NF03L-VB 是一款高性能单N通道MOSFET，封装在TO-263外壳中。该MOSFET设计用于要求高电流和低导通电阻的应用。其最大漏极-源极电压（VDS）为30V，栅极-源极电压（VGS）容差为±20V。器件具有较低的阈值电压（Vth），为1.7V，保证了其可以在较低的栅极电压下启动。B70NF03L-VB具有非常低的导通电阻（RDS(ON)），在VGS = 4.5V时为2.7mΩ，在VGS = 10V时为2.4mΩ，适合于需要处理大电流的应用，其连续漏极电流（ID）高达98A。该MOSFET采用先进的沟槽技术，提升了其开关性能和能效。
### B70NF03L-VB MOSFET 详细参数说明
- **封装类型:** TO-2
3
- **配置:** 单N通道
- **最大漏极-源极电压 (VDS):** 30V
- **最大栅极-源极电压 (VGS):** ±20V
- **阈值电压 (Vth):** 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON)):**
- VGS = 4.5V 时为 2.7mΩ
- VGS = 10V 时为 2.4mΩ
- **连续漏极电流 (ID):** 98A
- **技术:** 沟槽技术
### B70NF03L-VB MOSFET 的应用领域
B70NF03L-VB MOSFET 由于其高电流处理能力和低导通电阻，适用于多个高效能要求的领域。例如，在电源管理系统中，如计算机电源供应器和电池管理系统，这款MOSFET可以用于高电流开关和电源调节，确保系统稳定和高效。它还适合用于汽车电子领域，如电动车辆的电机控制和电源管理模块，能够处理高电流并保持低功耗。在工业应用中，B70NF03L-VB 可以应用于电机驱动和电力转换设备，因其低导通电阻能够显著降低能量损耗。最后，这款MOSFET 也适用于消费电子产品，如LED驱动器和高效能开关电源，提升设备的整体性能和功率效率。
