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B29S50-VB一种TO263封装Single-N-Channel场效应管
2025-01-07
### 产品简介
B29S50-VB 是一款高电压、高功率单级N沟道 MOSFET，封装形式为 TO263。采用 SJ_Multi-EPI 技术，设计用于处理高电压应用，具备可靠的性能和稳定性，适合用于高压开关和功率控制系统。
### 详细参数说明
- **型号**: B29S50-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单级N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 500V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±30V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 140mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 30A
- **技术**: SJ_Multi-EPI
### 应用领域和模块
B29S50-VB 适用于以下领域和模块：
1. **高压电源开关**：在高电压电源系统中，作为开关元件处理大电压负载，确保系统稳定和高效。
2. **工业电源**：用于工业设备中的高电压开关应用，提供可靠的功率管理和电源控制。
3. **电动汽车**：在电动汽车的高压电池管理和功率控制系统中，处理高电压需求，优化系统性能。
4. **电力转换器**：在高电压 DC-DC 转换器中作为开关元件，提升能量转换效率并维持系统稳定性。
