APM2023N-VB一种Single-N沟道TO252封装MOS管
2024-12-25
### 1. 产品简介详述：
APM2023N-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET，采用先进的槽沟技术（Trench）制造。封装为 TO252，具有良好的散热性能和适中的尺寸，适合于各种功率电子应用。该器件具有低导通电阻和低阈值电压特性，能够提供高效的电流控制和功率管理。
### 2. 详细参数说明：
- **器件型号：** APM2023N-VB
- **包装类型：** TO252
- **通道类型：** 单 N 沟道
- **漏极-源极电压（VDS）：** 20V
- **栅极-源极电压（VGS）：** ±20V
- **阈值电压（Vth）：** 0.5~1.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）：**
- 6mΩ @ VGS = 2.5V
- 4.5mΩ @ VGS = 4.5V
- **漏极电流（ID）：** 100A
- **技术特性：** 槽沟技术（Trench）
### 3. 应用示例：
这款 MOSFET 适用于以下领域和模块：
- **电源供应：** APM2023N-VB 可以作为开关电源和直流-直流转换器中的主要开关管，用于提供高效能耗和稳定的电压输出，适用于电脑电源、服务器和工业设备中的电源管理模块。
- **电动工具：** 在需要高功率输出和快速开关特性的电动工具中，该器件可以用作电机控制器和电池管理器件，确保工具的高效运行和长寿命。
- **车载电子：** 在汽车电子系统中，APM2023N-VB 可以用于电池管理、电动汽车充电桩和动力管理单元，支持车辆的高效能耗和低碳排放目标。
- **服务器和数据中心：** 在服务器和数据中心的电源供应和电压调节中，该器件能够提供高效的电能管理和稳定的电压输出，确保设备的可靠运行和数据安全。
以上示例展示了 APM2023N-VB 在多个需要高功率、高效能耗和稳定性要求的电子应用中的广泛应用，利用其槽沟技术优势，提供优异的电路性能和可靠性。
