AP4230GM-HF-VB一种Dual-N+N沟道SOP8封装MOS管
2024-12-13
### AP4230GM-HF-VB 产品简介
AP4230GM-HF-VB 是一款双N沟道加N沟道MOSFET，封装在SOP8中，采用沟槽技术制造。它具有良好的导通特性和高电流处理能力，非常适合需要高效能量转换和功率管理的应用。
### AP4230GM-HF-VB 详细参数说明
- **封装类型**：SOP8
- **配置**：双N+N沟道
- **击穿电压 (VDS)**：30V
- **栅极-源极电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 26mΩ @ VGS=4.5V
- 22mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：
- 6.8A（通道1）
- 6.0A（通道2）
- **技术**：沟槽（Trench）
### AP4230GM-HF-VB 应用领域及模块
AP4230GM-HF-VB 适用于各种功率管理和电能转换的应用场景，特别适合以下领域和模块：
1. **直流-直流转换器**：
- 在电源管理模块中，AP4230GM-HF-VB 作为开关元件，可实现高效的直流-直流电压转换，提供稳定的输出电压，适用于便携设备和电源适配器。
2. **电池管理系统**：
- 在电池管理系统中，这款MOSFET可以用于电池充放电控制电路，确保电池的安全充电和高效放电，适用于电动工具和便携设备。
3. **消费电子设备**：
- 在笔记本电脑、平板电脑和其他消费电子设备中，AP4230GM-HF-VB 可以用于电源控制和负载开关，确保设备的高效运行和稳定性能。
4. **电动汽车电子**：
- 在电动汽车的车载充电器和电源管理系统中，这款MOSFET 可以用于功率转换和能量分配，确保车辆电池的高效充电和能量管理。
通过其双N沟道配置和优异的电气特性，AP4230GM-HF-VB 成为各种需要高效能转换和功率管理的应用中的理想选择，为工程师提供了高性能和可靠性的解决方案。
