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SI3460DV-T1-E3-VB一款N沟道SOT23-6封装MOSFET应用分析
2024-02-21
型号： SI3460DV-T1-E3-VB
丝印： VB7322
品牌：VBsemi
参数：
- N沟道
- 额定电压：30V
- 额定电流：6A
- 开通电阻：30mΩ @ 10V, 40mΩ @ 4.5V
- 阈值电压：20Vgs (±V)
- 阈值电压：1.2Vth(V)
- 封装：SOT23-6
应用简介：
SI3460DV-T1-E3-VB是一款N沟道功率MOSFET，具有高电流和低开通电阻的特点。该器件适用于需要在低电压下实现大电流驱动的应用场合。
该产品可以用在以下领域模块上：
1. 电源模块：SI3460DV-T1-E3-VB可以用于低压DC-DC变换器，用于调节直流电压并提供稳定的电源输出。
2. 电动工具：该器件适用于驱动电动工具的电路，如电动钻、锤子等。它能够提供高功率输出并保持良好的稳定性。
3. 电动汽车：SI3460DV-T1-E3-VB可以用于电动汽车的驱动电路，例如电动车辆的电机控制器。它能够提供高能效和高辅助功率以实现高性能的动力输出。
4. LED照明：该产品适用于LED照明产品中的驱动电路，如LED灯泡、灯带等。它能够提供高亮度的LED照明，并保持高效能的电能转换。
总结：SI3460DV-T1-E3-VB是VBsemi品牌的N沟道功率MOSFET，适用于低电压高电流驱动的应用场合，如电源模块、电动工具、电动汽车和LED照明等领域模块。
