AP9995GJ-HF-VB一种TO251封装Single-N-Channel场效应管
2024-12-25
### 1. 产品简介详述：
AP9995GJ-HF-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET，采用槽沟技术制造。具有高漏极-源极电压和中等功率能力，适合于需要处理较高电压和中等电流的电路设计。该器件被封装在 TO251 中，适合各种工业和消费电子应用。
### 2. 详细参数说明：
- **器件型号：** AP9995GJ-HF-VB
- **包装类型：** TO251
- **通道类型：** 单 N 沟道
- **漏极-源极电压（VDS）：** 100V
- **栅极-源极电压（VGS）：** ±20V
- **阈值电压（Vth）：** 1.8V
- **导通电阻（RDS(ON)）：** 110mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流（ID）：** 15A
- **技术特性：** 槽沟技术（Trench）
### 3. 应用示例：
这款 MOSFET 适用于以下领域和模块：
- **电源管理和开关电源：** AP9995GJ-HF-VB 可以作为中等功率开关电源的关键组件，用于开关模式电源供应、DC-DC 转换器和各种工业电源管理应用，提供稳定的电压和高效的能量转换。
- **电动工具和电动车辆：** 在需要处理较高电压和中等电流的电动工具和电动车辆控制系统中，该器件可以提供可靠的电源管理和驱动功能，确保系统运行的高效和稳定。
- **工业自动化：** 适用于工业自动化设备中的电路控制和电源管理，如电机控制、传感器接口等，支持设备的高效运行和可靠性。
- **太阳能逆变器和电源转换：** 在太阳能电池逆变器和各种电源转换器中，AP9995GJ-HF-VB 能够处理高电压输入和中等电流输出，实现有效的能量转换和稳定的电能输出。
以上示例展示了 AP9995GJ-HF-VB 在多个中等功率和高电压要求的电路设计中的广泛应用，利用其槽沟技术优势，确保电路的高效能耗和长期可靠性。
