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深圳市微碧半导体有限公司

主营产品 : 低压MOS管 | 中高压MOS管 | 中低压MOS管 | N沟道MOS管 | P沟道MOS管 | NP沟道MOS管 | 双N沟道MOS管 | 双P沟道MOS管
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AP4880AGM-VB一种Single-N沟道SOP8封装MOS管

2024-12-17

### 产品简介详细:


AP4880AGM-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用Trench技术。其主要技术参数如下:


- **包装类型:** SOP8

- **配置:** 单N沟道

- **最大漏极-源极电压(VDS):** 30V

- **最大栅极-源极电压(VGS):** ±20V

- **阈值电压(Vth):** 1.7V

- **导通电阻(RDS(ON)):**

  - 11mΩ @ VGS = 4.5V

  - 8mΩ @ VGS = 10V

- **漏极电流(ID):** 13A

SOP8.png

AP4880AGM-VB.pdf


### 详细参数说明:


1. **包装类型和配置:** SOP8 封装,适合于中等功率密度和高频开关设计,适用于各种电路布局需求。


2. **电气特性:**

   - **广泛的电压范围:** 支持最大30V的漏极-源极电压(VDS)和±20V的栅极-源极电压(VGS),适合于多种电源管理和开关电路应用。

   - **低导通电阻:** 在不同的栅极-源极电压下(4.5V和10V),分别为11mΩ和8mΩ,提供了低功耗和高效率的操作。

   - **高漏极电流:** 最大漏极电流(ID)达到13A,适用于处理中等到大功率负载。


3. **技术优势:**

   - **Trench 技术:** 增强了导通能力和热稳定性,适合于高频率开关和高效能量转换的要求。


### 应用示例:


AP4880AGM-VB MOSFET适用于以下领域和模块:


- **电源管理:** 在低电压DC-DC转换器、电源适配器和稳压器中,通过其低导通电阻和高漏极电流,实现高效率的能量转换和稳定的电源输出。


- **电池管理:** 在便携式设备和电动工具中,作为电池管理电路的开关元件,确保电池充放电过程中的有效能量管理和保护。


- **LED驱动:** 用于LED驱动器和照明电路中,能够提供精确的电流控制和高效的能量转换,以增强LED照明系统的稳定性和效率。


- **汽车电子:** 在汽车电子系统中,如汽车灯光控制、电动窗控制和电动座椅调节中,提供可靠的开关功能和高效的电力管理。


这些示例展示了AP4880AGM-VB在不同领域中的多功能使用,展现了其在现代电子设计中的重要性和灵活性。