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HM2310PR-VB一款N沟道SOT89-3封装MOSFET应用分析
2024-02-22
型号：HM2310PR-VB
丝印：VBI1695
品牌：VBsemi
参数：
- N沟道
- 最大耐压：60V
- 最大漏电流：5A
- 静态导通电阻（RDS(ON)）：76mΩ @ 10V, 88mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压（Vth）：1V to 3V
- 封装：SOT89-3
应用简介：
HM2310PR-VB是一款N沟道场效应晶体管，适用于中功率电子应用。它具有适度的导通电阻和耐压特性，适合用于多种中功率电子系统。
领域模块应用：
1. DC-DC转换器模块：HM2310PR-VB可用于中功率DC-DC电源转换器，以提供有效的电能转换。
2. 电机控制模块：在中功率电机控制和驱动电路中，它能够提供所需的电流和效率。
3. 照明控制器：适用于中功率LED驱动器、照明控制器等模块。
这些特性使HM2310PR-VB在中功率电子应用领域有广泛的应用。
