CSD17579Q3A-VB一款N沟道DFN8(3X3)封装MOSFET应用分析
2024-02-22
型号：CSD17579Q3A-VB
丝印：VBQF1310
品牌：VBsemi
参数：
- N沟道 MOSFET
- 额定电压：30V
- 最大持续电流：40A
- 静态导通电阻 (RDS(ON))：11mΩ @ 10V, 16mΩ @ 4.5V
- 门源极电压 (Vgs)：最大±20V
- 阈值电压 (Vth)：2.3V
封装：DFN8 (3X3)
详细参数说明：
CSD17579Q3A-VB是一款N沟道MOSFET，主要设计用于低电压和高电流的应用。其额定电压为30V，能够承受高达40A的持续电流。这款MOSFET在不同电压下具有出色的导通特性，其静态导通电阻在10V电压下为11mΩ，而在4.5V电压下为16mΩ，表现出较低的电阻，有助于减小功耗和热量。
此外，CSD17579Q3A-VB的门源极电压（Vgs）范围广泛，最大可以达到±20V，使其在各种控制电路中具有灵活性。其阈值电压（Vth）为2.3V，可在不同应用中实现精确的控制。
应用简介：
CSD17579Q3A-VB广泛用于以下领域和模块：
1. **电源管理模块**：这款MOSFET在低电压电源管理中表现出色，可用于稳压、电池管理、充电和放电控制等。
2. **电机驱动**：由于其高电流承受能力，适用于直流电机驱动，如电动汽车电机控制、无人机电机控制等。
3. **DC-DC变换器**：CSD17579Q3A-VB的低导通电阻和高效性能使其成为DC-DC变换器中的理想选择，可用于电源适配器和能量转换器。
4. **电源开关**：可用于各种类型的电源开关，如电源开关模块（PSU）和逆变器。
总之，CSD17579Q3A-VB是一款多功能的N沟道MOSFET，适用于各种低电压、高电流的应用，为电源管理、电机控制和DC-DC变换器等模块提供高性能和可靠性的解决方案。
