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IPD036N04LG-VB一款N沟道TO252封装MOSFET应用分析
2024-01-10
参数说明：
- 型号：IPD036N04LG-VB
- 丝印：VBE1405
- 品牌：VBsemi
- N沟道
- 最大额定电压：40V
- 最大额定电流：85A
- RDS(ON)：4mΩ @ 10V, 5mΩ @ 4.5V, 20Vgs（-V）
- 门阈电压：1.85V
- 封装类型：TO252
应用简介：
IPD036N04LG-VB适用于许多领域的需求，如电源管理、电机驱动和逆变器等。
领域模块应用：
1. 电源管理领域：该器件可用作电源管理模块中的电源开关，用于控制电源的开关和调节。
2. 电机驱动领域：IPD036N04LG-VB可用于电机驱动模块中，用于控制电机的转速和方向。
3. 逆变器领域：在逆变器模块中，IPD036N04LG-VB可用于控制电源的变换和调节，用于转换直流电源为交流电源。
总结：
IPD036N04LG-VB是一款N沟道MOSFET器件，适用于电源管理、电机驱动和逆变器等领域的模块中。其特点包括较高额定电流和低导通电阻，在相关领域的应用中提供可靠且高效的性能。
