BSZ180P03NS3 G-VB一种Single-P沟道DFN8(3X3)封装MOS管
2025-01-10
## 产品简介
**型号：BSZ180P03NS3 G-VB**
BSZ180P03NS3 G-VB是一款高性能单P沟道MOSFET，采用DFN8(3x3)封装。该器件专为需要高效率和低导通损耗的应用设计，适合在-30V的漏源电压下工作。它具有出色的导通电阻和高电流承载能力，非常适用于负载开关和电源管理等场合，能够有效提升系统的整体性能和可靠性。
## 详细参数说明
- **封装类型**：DFN8(3x3)
- **配置**：单P沟道
- **漏源电压 (VDS)**：-30V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：-2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 18mΩ @ VGS=4.5V
- 11mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：-45A
- **技术**：Trench
## 应用领域和模块示例
**1. 电源开关**
BSZ180P03NS3 G-VB在电源开关应用中表现出色，能够高效地控制负载电流。特别是在负电压电源管理系统中，如负电源轨开关和负电流保护电路中，它的低导通电阻和高电流承载能力确保了高效能和稳定性。
**2. 电动汽车**
在电动汽车的电池管理系统和逆变器中，BSZ180P03NS3 G-VB可用作负载开关和电流控制器。由于其低导通电阻和较高的耐压能力，这款MOSFET能够帮助提高电池管理系统的整体效率和可靠性。
**3. 通信设备**
在通信设备如无线基站和网络路由器的电源管理模块中，BSZ180P03NS3 G-VB可以用于负电源切换和电流保护。这些设备要求稳定的负电源输出和低功耗，因此该MOSFET的特性非常适合这些应用。
**4. 工业自动化**
在工业自动化系统中，如伺服驱动器和电机控制器，BSZ180P03NS3 G-VB能够提供可靠的负载开关功能。其低导通电阻能够减少功率损耗，提升系统的效率，并延长设备的使用寿命。
综上所述，BSZ180P03NS3 G-VB由于其高电流承载能力、低导通电阻和良好的耐压特性，广泛适用于需要高效负载开关和电源管理的各种应用领域，能够有效提升系统的整体性能。
