AM3962N-T1-PF-VB一种Dual-N+N沟道SOT23-6封装MOS管
2024-11-28
### 一、AM3962N-T1-PF-VB 型号的产品简介
AM3962N-T1-PF-VB 是一款双N+N沟道MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，封装在紧凑的SOT23-6封装中。它具有高导通电流能力和良好的电压控制特性，适用于高性能功率开关和电源管理应用。
### 二、AM3962N-T1-PF-VB 型号的详细参数说明
- **封装类型**: SOT23-6
- **配置**: 双N+N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 60V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 60mΩ @ VGS=4.5V
- 48mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 4.2A
- **技术**: 沟槽技术
### 三、AM3962N-T1-PF-VB 的应用领域和模块举例
1. **电源管理**:
- **DC-DC转换器**：AM3962N-T1-PF-VB 可用作DC-DC转换器的主动开关器件，实现高效能耗和稳定的电压输出，适合于便携式电子设备和工业自动化应用。
2. **电动工具**:
- **电动钻/电动螺丝刀**：在电动工具中，该MOSFET可以作为电机驱动器件，通过高速开关和低导通电阻提供更高的效率和可靠性。
3. **汽车电子**:
- **车辆电动化**：在电动汽车和混合动力车辆中，AM3962N-T1-PF-VB 可用于电池管理系统和电动机控制单元，确保高效能耗和长期的电池寿命。
4. **工业控制**:
- **工业自动化设备**：适用于各种传感器和执行器的电源管理和控制，保证工业自动化设备的稳定运行和高效能耗。
AM3962N-T1-PF-VB 由于其双N+N沟道结构和高电压承受能力，特别适用于需要高性能功率开关和稳定电压控制的各种应用场景。
