AP4533M-VB一种Dual-N+P沟道SOP8封装MOS管
2024-12-16
### 1. 产品简介详细：
AP4533M-VB 是一款双 N 沟道 + P 沟道 MOSFET，采用 SOP8 封装，适用于高性能功率管理应用。该器件结合了高 VDS（±30V）和低 RDS(ON) 的特性，以及优化的开关特性，非常适合要求高效能和高可靠性的电源系统设计。
### 2. 详细的参数说明：
- **封装类型**: SOP8
- **通道类型**: 双 N 沟道 + P 沟道
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**: ±30V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.8V（N 沟道），-1.7V（P 沟道）
- **导通时的静态电阻 (RDS(ON))**:
- @ VGS = 4.5V: 13mΩ (N 沟道), 28mΩ (P 沟道)
- @ VGS = 10V: 11mΩ (N 沟道), 21mΩ (P 沟道)
- **漏极电流 (ID)**:
- 最大值: 10A (N 沟道), -8A (P 沟道)
- **技术特点**: Trench 结构，提升了开关速度和功率密度
### 3. 应用示例：
- **电源管理模块**: AP4533M-VB 的高 VDS 和低 RDS(ON) 特性使其在开关电源和 DC-DC 转换器中表现出色，能够有效降低导通损耗和提升效率。
- **电池保护电路**: 由于其双 N 沟道 + P 沟道结构，适合用于电池管理系统中的充放电保护开关，保证电池使用安全和效率。
- **工业自动化控制**: 在工业自动化设备的功率开关模块中，AP4533M-VB 的高电压容忍度和稳定性能，确保设备的可靠运行和长期稳定性。
这些示例展示了 AP4533M-VB 在不同领域和模块中的广泛应用，体现了其在功率管理和电源控制领域的重要性和实用性。
