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B40N20-VB一种TO263封装Single-N-Channel场效应管
2025-01-07
### 产品简介
**B40N20-VB** 是一款单极N沟道MOSFET，封装形式为TO263。采用Trench技术，具有较高的耐压和中等导通电阻。此MOSFET 设计用于高电压环境下的电力电子应用，能够提供稳定的性能，适合各种需要高电压和高开关效率的系统。
### 参数说明
- **型号**：B40N20-VB
- **封装**：TO263
- **配置**：单极N沟道
- **漏源电压 (VDS)**：200V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：38mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**：45A
- **技术**：Trench
### 适用领域和模块
**B40N20-VB** MOSFET 在以下领域和模块中表现优异：
1. **高压开关电源**：其高耐压能力使其适合用于高压开关电源中，能够处理较高电压负载并提供稳定的开关性能。
2. **电机驱动系统**：在高电压电机驱动应用中，B40N20-VB 提供可靠的开关功能，适合用于高电压电机的控制。
3. **工业电源管理**：适用于工业电源管理系统中，能够在高电压条件下有效地开关和调节电源。
4. **电力转换设备**：在电力转换设备中，该MOSFET 能够处理高电压负载，确保设备的稳定性和高效能。
5. **逆变器**：适用于高电压逆变器应用中，能够稳定工作，支持高效的电力转换和管理。
