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BSO051N03MS G-VB一种SOP8封装Single-N-Channel场效应管
2025-01-09
**1. 产品简介：**
BSO051N03MS G-VB 是一款高效能 N-Channel MOSFET，封装为 SOP8。采用 Trench 技术，具有极低的导通电阻和良好的电流处理能力，适合用于高密度和高效能的电子应用。
**2. 详细参数说明：**
- **封装**: SOP8
- **配置**: 单极性 N-Channel
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 30V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 5mΩ（在 VGS=4.5V 时）
- 4mΩ（在 VGS=10V 时）
- **漏极电流 (ID)**: 18A
- **技术**: Trench
**3. 应用领域举例：**
BSO051N03MS G-VB 适用于高电流和高效能的电源管理系统，如 DC-DC 转换器、功率调节模块、电机驱动、电源开关和LED驱动电路。其低导通电阻和高电流处理能力使其在需要高效率和高功率的应用中表现优异，尤其适合用于高效能电源转换和管理场景。
