AP15TP1R0YT-VB一种Single-P沟道DFN8(3X3)封装MOS管
2024-12-10
### 一、产品简介
AP15TP1R0YT-VB是一款高性能的单P沟道MOSFET，采用DFN8 (3x3)封装。它具备负高压漏源电压和良好的导通特性，非常适用于需要高效电力控制和保护的应用场景。其紧凑的封装设计使其特别适合空间受限的电子设备，能够在各种严苛的工作条件下提供可靠的电流控制和开关性能。
### 二、详细参数说明
- **封装类型**: DFN8 (3x3)
- **配置**: 单P沟道
- **漏源电压 (VDS)**: -200V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -2V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 2400mΩ @ VGS = 4.5V
- 2000mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: -3.6A
- **技术类型**: Trench
### 三、适用领域和模块举例
1. **电源保护**：AP15TP1R0YT-VB适用于各种电源保护电路，如电池管理系统和电源开关。其负高压漏源电压和低导通电阻特性能够有效地控制电流和电压，保护电子设备免受过电流和过电压的损害。
2. **电动汽车充电桩**：在电动汽车充电桩的电源管理系统中，这款MOSFET可以用作功率开关控制器，确保高效稳定的电力传输和安全的充电过程。其高耐压和稳定性使其成为电动汽车充电设备的理想选择。
3. **工业自动化**：在工业控制系统中，AP15TP1R0YT-VB可用于各种需要负高压控制和电源管理的应用，如PLC（可编程逻辑控制器）、工业变频器和自动化机器人。其高电压承受能力和低功耗特性有助于提高设备的稳定性和效率。
4. **LED照明驱动**：这款MOSFET还可以用于LED照明系统中的电流控制和驱动模块。其稳定的开关特性和低损耗设计能够提升LED照明系统的能效和寿命，适用于室内和室外的高亮度LED照明。
通过其高性能参数和广泛的应用领域，AP15TP1R0YT-VB展示了在多种电子设备和系统中的重要性，特别适用于需要负高压控制和稳定性的电力电子应用。
