AP86T02GH-HF-VB一种Single-N沟道TO252封装MOS管
2024-12-19
### 产品简介：
AP86T02GH-HF-VB是一款单通道N沟道功率MOSFET，采用沟道技术制造，适用于高性能功率开关应用。它具有30V的漏极-源极电压（VDS），20V的门极-源极电压（VGS），并且在不同的工作点下具备极低的导通电阻（RDS(ON)）。
### 参数说明：
- **型号：** AP86T02GH-HF-VB
- **封装：** TO252
- **配置：** 单通道N沟道
- **VDS（漏极-源极电压）：** 30V
- **VGS（门极-源极电压）：** ±20V
- **门极阈值电压（Vth）：** 1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）：**
- 3mΩ @ VGS = 4.5V
- 2mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流（ID）：** 100A
- **技术：** 沟道技术（Trench）
### 应用领域示例：
1. **电源模块：** AP86T02GH-HF-VB适用于小型电源模块和DC-DC转换器，能够提供高效率和可靠性的电源转换功能。
2. **电池管理系统：** 在需要处理高电流和低压降的电池管理系统中，该型号可以作为主动电流调节器或开关器件，确保电池的安全充放电和长寿命运行。
3. **电动工具和家用电器：** 在需要高功率密度和紧凑设计的电动工具和家用电器中，AP86T02GH-HF-VB可以作为关键的功率开关元件，提供高效能的功率控制和驱动功能。
4. **电动汽车电池组平衡器：** 作为电动汽车电池组平衡器中的功率开关，该器件能够在高电流下稳定工作，支持电动车的长程驾驶和充电效率。
以上示例展示了AP86T02GH-HF-VB在高功率、高效率和紧凑尺寸要求的电子系统中的应用潜力，为工程师提供了设计灵活性和性能优化的选择。
