AUFR2307Z-VB一种Single-N沟道TO252封装MOS管
2025-01-02
### 一、产品简介
**AUFR2307Z-VB** 是一款高电流、高电压耐受能力的单N沟道MOSFET，采用TO252封装。凭借其出色的电流处理能力和极低的导通电阻，这款MOSFET特别适用于需要高效率和高性能的应用。AUFR2307Z-VB使用先进的沟槽技术，旨在提供卓越的开关性能和热稳定性，适合在苛刻环境下运行。
### 二、详细参数说明
- **型号**：AUFR2307Z-VB
- **封装**：TO252
- **配置**：单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**：80V
- **栅源电压 (VGS)**：20V（±）
- **阈值电压 (Vth)**：3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 5mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：75A
- **技术**：沟槽技术
### 三、应用领域和模块示例
**1. 电源管理**
AUFR2307Z-VB在电源管理领域表现优异，特别是在DC-DC转换器和电源供应系统中。其高电流处理能力和超低导通电阻有助于提高系统的效率，减少能量损耗和发热。
**2. 电机驱动**
在电机驱动应用中，例如工业电动机驱动器和汽车电动机控制系统，AUFR2307Z-VB的高电流承载能力使其成为理想选择。其优越的导通性能和耐高电压特性确保了电机运行的稳定性和可靠性。
**3. 高功率开关**
AUFR2307Z-VB适用于高功率开关应用，如电源开关和负载开关。其低导通电阻能够在开关过程中减少功率损耗，使系统更加高效。
**4. 太阳能逆变器**
在太阳能逆变器中，AUFR2307Z-VB的高电流能力和耐高压特性使其成为理想的选择，帮助逆变器高效地将太阳能转换为电能，提升整体系统性能。
通过这些应用示例，可以看到AUFR2307Z-VB凭借其高电流、高电压耐受能力和低导通电阻，适用于各种要求高效能和高可靠性的场合。
