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B20NM60-VB TO263一种TO263封装Single-N-Channel场效应管
2025-01-07
### 产品简介
B20NM60-VB 是一款高电压、高性能单极 N 通道 MOSFET，封装为 TO263。它采用先进的 SJ_Multi-EPI 技术，具备 650V 的漏极源极电压（VDS）和 15A 的连续漏极电流（ID）。其导通电阻（RDS(ON)）在 VGS 为 10V 时为 300mΩ，适合用于高电压和高功率应用。阈值电压（Vth）为 3.5V，VGS 范围为 ±30V，确保其在极端电压条件下的稳定性和可靠性。
### 详细参数说明
- **型号**: B20NM60-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单极 N 通道
- **漏极源极电压 (VDS)**: 650V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 300mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID)**: 15A
- **技术**: SJ_Multi-EPI
### 适用领域和模块示例
B20NM60-VB 适用于以下领域和模块：
1. **高电压电源管理**: 用于高电压电源转换器和电源模块中，提供高电压耐受能力和可靠的开关性能。
2. **开关电源**: 在开关电源中作为开关元件，处理高电压电流，保障电源系统的稳定性。
3. **功率逆变器**: 在功率逆变器中使用，帮助高效转换直流电源到交流电源，适用于光伏发电系统和其他高功率应用。
4. **工业控制**: 在工业设备和电气控制系统中作为高电压开关，提供高效的控制和保护功能。
