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BSC018NE2LS-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2025-01-08
### 产品简介
BSC018NE2LS-VB 是一款采用 DFN8 (5x6) 封装的单通道 N 沟道 MOSFET，适用于低电压、高电流应用。其具有 30V 的漏极-源极耐压、20V 的栅极-源极耐压、以及 1.7V 的栅极阈值电压。该 MOSFET 在 4.5V 的栅极驱动电压下，具有 2.5mΩ 的导通电阻，在 10V 的栅极驱动电压下则为 1.8mΩ。其最大漏极电流可达 160A，采用先进的 Trench 技术制造，适合高性能的电源管理应用。
### 参数说明
- **型号**: BSC018NE2LS-VB
- **封装**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 单通道 N 沟道 MOSFET
- **漏极-源极耐压 (VDS)**: 30V
- **栅极-源极耐压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 2.5mΩ @ VGS = 4.5V
- 1.8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 160A
- **技术**: Trench 技术
### 应用领域
BSC018NE2LS-VB 适用于以下领域和模块：
- **电源管理**: 在高功率 DC-DC 转换器中，用于高效电流传输和开关操作。
- **电动汽车**: 在电动汽车的动力系统中，作为高电流开关，处理电池和电机之间的功率转换。
- **计算机和服务器**: 用于高性能计算系统中的电源模块，优化电源分配和热管理。
- **工业控制**: 在工业设备中作为高电流开关，确保可靠的电源切换和负载控制。
