APT47N65BC3-VB一种TO247封装Single-N-Channel场效应管
2024-12-27
### 产品简介
APT47N65BC3-VB 是一种单 N 沟道 MOSFET，封装在 TO247 外壳中。该器件采用 SJ_Multi-EPI 技术制造，专为高电压和高电流应用设计。它具有高电压承载能力和相对较低的导通电阻，使其在处理高功率和高电压环境下的开关和控制任务时表现优异。APT47N65BC3-VB 适合用于需要高效能量管理和稳定开关性能的各种应用场合。
### 详细参数说明
- **封装类型**：TO247
- **配置**：单通道（N沟道）
- **漏源电压 (VDS)**：650V
- **栅源电压 (VGS)**：±30V
- **阈值电压 (Vth)**：3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- VGS = 10V: 75mΩ
- **漏极电流 (ID)**：47A
- **技术**：SJ_Multi-EPI
### 应用领域和模块示例
1. **高压电源管理**：
- APT47N65BC3-VB 非常适合用于高压电源管理系统，例如高压 DC-DC 转换器和开关电源。其高漏源电压和相对较低的导通电阻使其能够有效地处理高电压电源，同时保持高效的能量转换和系统稳定性。
2. **功率逆变器**：
- 在功率逆变器应用中，该 MOSFET 的高电压和高电流能力使其能够处理逆变器中的大功率转换。它能保证逆变器系统在高电压条件下的可靠性和效率，适用于太阳能逆变器、电动车辆逆变器等应用。
3. **高压负载开关**：
- 该 MOSFET 能够有效地控制高电压负载的开关操作。其高电压承载能力和低 RDS(ON) 减少了开关过程中的功率损耗，适合用于需要高电压开关控制的场合，如电力控制系统和工业设备。
4. **电机驱动**：
- 在高电压电机驱动应用中，APT47N65BC3-VB 提供了可靠的电流控制和稳定的开关性能。适用于高电压电机驱动系统，可以保证电机在高电压下的稳定运行和高效能量传输。
APT47N65BC3-VB 的高电压和高电流能力，使其在高功率应用和高电压环境中非常实用，尤其是在需要高效能量管理和稳定开关性能的场合。
