AP9987GH-HF-VB一种TO252封装Single-N-Channel场效应管
2024-12-25
### AP9987GH-HF-VB MOSFET 产品简介
AP9987GH-HF-VB 是一款单N沟道配置的高性能 MOSFET，封装为TO252。它采用先进的沟槽技术，具有适用于高电压环境的设计特性，适合要求稳定性能和高效能耗的电源管理和开关控制应用。
### AP9987GH-HF-VB 详细参数说明
- **封装类型**：TO252
- **配置**：单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**：100V
- **栅极-源极电压 (VGS)**：±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**：1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：114mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**：15A
- **技术**：沟槽技术 (Trench)
### 应用领域及模块举例
AP9987GH-HF-VB MOSFET 具有以下优秀的电气特性，适用于多个领域和模块：
1. **电动车辆充电桩**：
- 在电动车辆充电桩中，AP9987GH-HF-VB 可以作为功率开关器件，用于控制和调节电池充电电流，确保充电效率高和稳定性能。
- 它的高漏极电流承载能力和低导通电阻特性，适合处理大电流的充电需求，同时保持电能转换效率高。
2. **工业电源系统**：
- 在工业设备和机械的电源管理系统中，AP9987GH-HF-VB 可以用于开关电源单元、DC-DC转换器和电机驱动器，支持高电压和高功率的电源管理需求。
- 它的稳定性和可靠性使其适合长时间运行的工业自动化设备，确保设备的安全运行和高效能耗。
3. **电力逆变器**：
- 在太阳能逆变器和其他可再生能源系统中，AP9987GH-HF-VB 可以作为关键的电力开关器件，用于逆变和转换电能，确保系统能够有效地将太阳能或风能转换为电力输出。
- 它的高电压耐受能力和低导通电阻特性，有助于提高逆变器的能量转换效率和系统的整体性能。
4. **通信基础设施**：
- 在通信网络基础设施中，如基站和通信设备的电源管理单元，AP9987GH-HF-VB 可以提供可靠的功率开关控制，确保设备在各种环境条件下的稳定运行和持续连接性。
通过以上应用示例，可以看出 AP9987GH-HF-VB MOSFET 在多个高电压、高功率和高效能耗的电子领域中都具有广泛的应用潜力，为各种关键应用场景提供可靠的功率管理和控制解决方案。
