AP01N60J-VB一种Single-N沟道TO251封装MOS管
2024-12-09
### AP01N60J-VB 产品简介
**型号：** AP01N60J-VB
**封装：** TO251
**配置：** 单N沟道MOSFET
**技术：** Plannar
AP01N60J-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用Plannar技术，具有适中的漏极-源极电压和低导通电阻，适用于需要可靠高压开关的各种应用场合。
### 详细参数说明
- **漏极-源极电压（VDS）：** 650V
- **栅极-源极电压（VGS）：** ±30V
- **阈值电压（Vth）：** 3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）：** 4300mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流（ID）：** 2A
- **技术：** Plannar
### 应用领域和模块举例
1. **电源适配器：** 在低功率电源适配器中，AP01N60J-VB 可作为高压开关器件，提供稳定的电能转换和控制，确保设备的可靠性和效率。
2. **电动工具：** 适用于电动工具中的电源管理和驱动模块，能够有效控制电机的高压开关，提升电动工具的性能和寿命。
3. **LED照明驱动：** 在LED照明系统中，AP01N60J-VB 可以作为高压开关器件，用于LED驱动电源的电流控制和保护，确保LED灯具的稳定亮度和长寿命。
4. **UPS系统：** 作为UPS系统中的功率开关器件，AP01N60J-VB 能够在电网异常时提供可靠的电力备份和转换，保护关键设备不受电力波动影响。
5. **工业控制系统：** 适用于工业自动化控制系统中的电源管理和功率开关控制，如用于PLC控制器、变频器和机器人系统中的电力转换模块。
AP01N60J-VB MOSFET因其可靠的性能和广泛的应用领域，为各类需要高压功率开关和稳定电力管理的电子设备提供了有效的解决方案。
