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BSC031N06NS3 G-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2025-01-08
### 产品简介
**BSC031N06NS3 G-VB** 是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用Trench技术制造。其封装形式为DFN8 (5x6)，设计用于需要高电压和大电流的应用。该MOSFET具有60V的漏源电压（VDS）和最大20V的栅源电压（VGS），提供优异的导通性能和低导通电阻，适用于电源管理、高功率开关及电动驱动等多种应用。
### 参数说明
- **型号**: BSC031N06NS3 G-VB
- **封装**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压（VDS）**: 60V
- **栅源电压（VGS）**: ±20V
- **阈值电压（Vth）**: 3V
- **导通电阻（RDS(ON)）**:
- 5mΩ @ VGS = 4.5V
- 3mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流（ID）**: 100A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
**BSC031N06NS3 G-VB** 适用于以下领域和模块：
1. **高效能电源管理**: 在高电压电源转换器中使用，有助于减少功率损耗，提升系统的能效和稳定性。
2. **开关电路**: 用于高功率开关应用，如DC-DC转换器和逆变器，提供低导通电阻和可靠的开关性能。
3. **电动驱动**: 适合用于电动汽车和其他高电流驱动系统，确保在高电流环境下稳定运行。
4. **工业控制**: 在工业自动化设备中使用，能够处理高电流和高电压负载，提升系统的整体可靠性和性能。
该MOSFET的高电压和大电流特性，使其在多种高负载应用中表现优异。
