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BSC018N04LS G-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2025-01-08
### 产品简介
**BSC018N04LS G-VB** 是一款单极性N沟道功率MOSFET，采用DFN8(5x6)封装。该MOSFET具有40V的漏源电压（VDS），支持最大±20V的栅极源电压（VGS）。它的阈值电压（Vth）为3V，具有超低的导通电阻2mΩ（VGS=10V），并且能承受高达120A的最大漏电流。MOSFET采用沟槽技术，适合用于高功率和高效率的电源和负载开关应用。
### 详细参数说明
- **型号**: BSC018N04LS G-VB
- **封装**: DFN8(5x6)
- **配置**: 单极性N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 40V
- **栅极源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 2mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流 (ID)**: 120A
- **技术**: 沟槽技术
### 适用领域和模块
**BSC018N04LS G-VB** 功率MOSFET 主要适用于以下领域和模块：
1. **电源管理**：在高效开关电源中作为开关元件，适合高电流和低损耗的需求，提升整体电源效率。
2. **电机驱动**：在高功率电机驱动系统中用于高电流开关，能够处理大电流并保持低导通损耗。
3. **电池供电系统**：用于电池管理和保护，特别是在需要高电流负载的应用中，确保系统稳定性和安全性。
4. **高功率转换器**：在DC-DC转换器和其他功率转换模块中，用于实现高效的功率转换和降低热损耗。
