AP86T03GH-VB一种Single-N沟道TO252封装MOS管
2024-12-19
### 产品简介详细：
AP86T03GH-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用了先进的Trench技术，具备低导通电阻和高电流承载能力，适合于要求高效能和高功率密度的电子应用。
- **包装类型：** TO252
- **配置：** 单N沟道
- **最大漏极-源极电压（VDS）：** 30V
- **最大栅极-源极电压（VGS）：** ±20V
- **阈值电压（Vth）：** 1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）：**
- 3mΩ @ VGS = 4.5V
- 2mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流（ID）：** 100A
- **技术：** Trench
### 详细参数说明：
1. **包装和配置：**
- **TO252封装：** 提供了良好的热管理和电气性能，适合于中等功率密度的应用，如电源管理和电动工具。
2. **电气特性：**
- **低导通电阻：**
- 3mΩ @ VGS = 4.5V
- 2mΩ @ VGS = 10V，确保在高电流负载和低电压条件下的低损耗和高效率。
- **高电流承载能力：** 最大漏极电流达到100A，适合于处理大功率负载和高频率开关需求。
- **稳定的阈值电压：** 1.7V的阈值电压确保了在各种电压条件下的稳定工作。
3. **技术优势：**
- **Trench技术：** 使用Trench结构设计，优化了导通性能和热稳定性，提高了能量转换效率和系统可靠性。
### 应用示例：
AP86T03GH-VB MOSFET 可广泛应用于以下领域和模块：
- **电源管理和逆变器：** 在DC-DC转换器和电源逆变器中，用于高效率能量转换和稳定的电流控制。
- **电动工具和电动车辆：** 用于电动工具和电动汽车中的电机驱动控制，支持高功率和高效率的电能管理需求。
- **电源开关：** 作为高频率开关，用于工业自动化和通信设备中，确保设备的高效运行和长期可靠性。
这些示例展示了AP86T03GH-VB在高功率、高效率电子设计中的广泛应用，显示其在现代电力电子领域中的重要性和多功能性。
