BUK442-50A-VB一种Single-N沟道TO220封装MOS管
2025-01-10
### 一、BUK442-50A-VB 产品简介
BUK442-50A-VB 是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO220封装，并利用Trench技术制造。它专为低电压高电流应用设计，能够承受高达60V的漏源极电压和20A的漏极电流。其优异的导通电阻和较低的阈值电压使其在各种开关和电源管理应用中表现出色，是高效电力控制系统中的理想选择。
### 二、BUK442-50A-VB 详细参数说明
- **型号**: BUK442-50A-VB
- **封装**: TO220
- **配置**: 单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 60V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 72mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 20A
- **技术**: Trench
### 三、BUK442-50A-VB 适用领域和模块举例
BUK442-50A-VB 的优异性能使其在以下领域和模块中得到广泛应用：
1. **电源管理系统**: 在电源管理应用中，如DC-DC转换器和稳压器，BUK442-50A-VB 的低导通电阻和高电流处理能力可以有效提高系统效率，减少能量损耗。它适用于需要高效能和稳定电流控制的场景。
2. **电机驱动控制**: 在电动工具、电动自行车和其他电机驱动应用中，该MOSFET 的高电流处理能力和低导通电阻可以确保电机的稳定运行，提供平稳的电机控制和驱动性能。
3. **功率开关设备**: 在各种功率开关设备中，如开关电源和功率放大器，BUK442-50A-VB 能够处理高电流负荷，确保开关过程的高效和可靠。它特别适用于需要高电流和低功耗损耗的开关应用。
4. **低压电子变换器**: 在低压电子变换器应用中，如电动汽车充电器和便携式设备电源，BUK442-50A-VB 的低阈值电压和低导通电阻有助于提升变换器的效率和可靠性。
BUK442-50A-VB 的高电流承载能力和低导通电阻，使其在要求高效能和高可靠性的电力电子系统中表现出色，是现代开关和电源管理应用中不可或缺的组件。
