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BSC052N03LS-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2025-01-08
### 产品简介
**BSC052N03LS-VB** 是一款单极性N沟道功率MOSFET，封装为DFN8(5x6)，专为高电流和高效率应用设计。该MOSFET具有30V的漏源电压（VDS）和最大±20V的栅极源电压（VGS）。其阈值电压（Vth）为1.7V，具有导通电阻5mΩ（VGS=4.5V）和3mΩ（VGS=10V），最大漏电流可达120A。MOSFET采用沟槽技术，适用于需要高电流处理和低功耗的电源和负载开关应用。
### 详细参数说明
- **型号**: BSC052N03LS-VB
- **封装**: DFN8(5x6)
- **配置**: 单极性N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅极源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 5mΩ @ VGS = 4.5V
- 3mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流 (ID)**: 120A
- **技术**: 沟槽技术
### 适用领域和模块
**BSC052N03LS-VB** 功率MOSFET 主要应用于以下领域和模块：
1. **电源管理**：在高效电源转换器和DC-DC转换器中用作开关元件，适合需要大电流和低功耗的应用，提高系统的能效和稳定性。
2. **电机驱动**：用于电动机驱动系统，能够处理高电流负载，适合高功率电机应用，提供稳定的电流控制和低热损耗。
3. **电池管理系统**：在电池保护和管理系统中用于高电流开关，确保系统的可靠性和安全性，特别适合需要高电流负载的应用场景。
4. **功率转换设备**：在各种功率转换模块，如逆变器和功率调节器中，能够实现高效的功率转换和降低能量损耗。
