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IPD50P04P4L-11-VB一款P沟道TO252封装MOSFET应用分析
2024-01-10
型号： IPD50P04P4L-11-VB
丝印： VBE2412
品牌： VBsemi
详细参数说明：
- 沟道类型：P沟道
- 最大工作电压：-40V
- 最大工作电流：-65A
- 导通电阻：10mΩ@10V, 13mΩ@4.5V, 20Vgs(±V)
- 阈值电压：-1.6Vth(V)
- 封装类型：TO252
应用简介：
IPD50P04P4L-11-VB适用于各种领域的电子模块，主要用于功率开关应用。由于P沟道MOSFET具有负责电流的优点，因此它们广泛应用于电源管理和开关模块。
此型号产品可用于以下领域模块：
1. 电源模块：由于其高电流和低导通电阻特性，适用于高功率电源模块，如电动汽车充电器和电池管理系统。
2. 电机驱动模块：具有高工作电流能力的IPD50P04P4L-11-VB可用于电机驱动模块，如电动机控制器和电机驱动电路。
3. 照明模块：由于其高电流能力和低导通电阻特性，可用于LED照明模块，如LED驱动器和LED灯控制电路。
4. 工业控制模块：适用于工业控制模块，如工业自动化控制系统和工业电源模块。
总之，IPD50P04P4L-11-VB适用于需要高功率开关能力和低导通电阻的电子模块应用，并可广泛应用于电源管理、电机驱动、照明和工业控制等领域。
