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B04N03-VB一种Single-N沟道TO252封装MOS管
2025-01-06
**产品简介**
B04N03-VB是一款高电流、高性能的单N通道场效应晶体管（MOSFET），封装为TO-252，采用Trench工艺。它设计用于提供极低的导通电阻和高电流处理能力，适合需要高效率和高可靠性的电源管理和负载驱动应用。凭借其低V_DS和优异的开关特性，B04N03-VB能够在高电流和高频率环境中稳定运行。
**详细参数说明**
- **型号**：B04N03-VB
- **封装**：TO-252
- **配置**：单N通道
- **最大漏源电压 (V_DS)**：30V
- **最大栅源电压 (V_GS)**：±20V
- **阈值电压 (V_th)**：1.7V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**：
- 4.5V时：3mΩ
- 10V时：2mΩ
- **最大漏电流 (I_D)**：100A
- **技术**：Trench工艺
**应用领域和模块**
1. **高效电源管理**：在高功率电源管理系统中，B04N03-VB因其低导通电阻和高电流处理能力，适用于高效DC-DC转换器，确保高效能和低功耗转换。
2. **电动汽车系统**：在电动汽车的驱动和电池管理系统中，能够处理高电流负载，帮助提高整体系统的效率和可靠性。
3. **工业设备**：适用于工业电机驱动系统中，能够稳定控制大电流电机，减少能耗并提升系统的整体性能。
4. **通信设备**：在通信设备的电源模块中，作为开关元件提升信号的稳定性和传输效率，特别是在高频应用中表现出色。
