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B282L-VB一种TO263封装Single-N-Channel场效应管
2025-01-07
### 产品简介
B282L-VB 是一款高性能单通道 N 沟道 MOSFET，封装形式为 TO263。此 MOSFET 设计用于承受高达 80V 的漏源电压，能够处理高达 215A 的漏极电流。采用 Trench 工艺，具有极低的导通电阻，适用于高功率和高电流的应用场景。
### 详细参数说明
- **型号**: B282L-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单通道 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 80V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 10mΩ @ VGS = 4.5V
- 5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 215A
- **技术**: Trench 工艺
### 适用领域和模块
B282L-VB 适用于以下领域：
1. **电源管理**: 在高电流开关电源和高效能 DC-DC 转换器中使用，提供低导通电阻和高电流处理能力。
2. **电动汽车**: 适合用于电动汽车中的电机驱动系统和电池管理，以处理高功率需求。
3. **电力电子**: 用于高功率电源设备，如逆变器和功率调节器，能够高效管理高电流和高功率应用。
4. **工业应用**: 在工业自动化和高功率控制系统中作为主要的功率开关元件，确保稳定和高效的功率管理。
