AP02N60I-VB一种Single-N沟道TO220F封装MOS管
2024-12-09
### AP02N60I-VB 产品简介
**型号：** AP02N60I-VB
**封装：** TO220F
**配置：** 单N沟道MOSFET
**技术：** Plannar
AP02N60I-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用Plannar技术，具有高达650V的漏极-源极电压承受能力和稳定的电性能特征。
### 详细参数说明
- **漏极-源极电压（VDS）：** 650V
- **栅极-源极电压（VGS）：** ±30V
- **阈值电压（Vth）：** 3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）：** 1700mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流（ID）：** 2A
- **技术：** Plannar
### 应用领域和模块举例
1. **电源适配器：** 在小型电源适配器中，AP02N60I-VB 可作为高压开关器件，用于稳定的电能转换和控制，确保设备的高效率和长寿命。
2. **电动工具：** 适用于电动工具中的电源管理和驱动模块，能够有效控制电机的高压开关，提升电动工具的性能和可靠性。
3. **LED照明驱动：** 在LED照明系统中，AP02N60I-VB 可以作为功率开关器件，用于LED驱动电源的电流控制和保护，确保LED灯具的稳定运行。
4. **UPS系统：** 作为UPS系统中的关键功率开关器件，AP02N60I-VB 能够在电网异常时提供可靠的电力备份和转换，保护关键设备不受电力波动影响。
5. **工业自动化：** 在工业控制系统中，如PLC控制器和变频器中的电力转换模块，AP02N60I-VB 提供稳定的功率控制，确保设备的可靠运行和安全性。
AP02N60I-VB MOSFET因其高压承受能力和稳定的性能特征，适用于各种需要高效能量转换和可靠性的电子设备和工业应用场合。
