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IRF9Z24NS-VB一款P沟道TO263封装MOSFET应用分析
2024-01-09
型号：IRF9Z24NS
丝印：VBL2658
品牌：VBsemi
参数：P沟道,-60V,-30A,RDS(ON),58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-1~-3Vth(V)；TO263
该产品具有以下详细参数说明：
- 类型：P沟道功率场效应管
- 最大耐压：-60V
- 最大漏极电流：-30A
- 导通时的电阻（RDS(ON)）：58mΩ@10V, 70mΩ@4.5V
- 栅极电压（Vgs）范围：±20V
- 阈值电压（Vth）范围：-1V至-3V
- 封装：TO263
该产品适用于以下领域模块：
- 电源开关：IRF9Z24NS可用于电源开关模块中，用于电源的控制和转换。
- 电流控制：适用于需要控制电流的模块，提供稳定的电流放大和电路控制能力。
- 车辆电子：可用于车辆电子模块中，如汽车点火控制和电路保护。
- 电源管理：适用于电源管理模块中，实现电源开关、电池管理和电路保护等功能。
综上所述，IRF9Z24NS适用于电源开关、电流控制、车辆电子和电源管理等领域模块。
