公司动态详情返回动态列表>
4N06L30-VB一款N沟道TO252封装MOSFET应用分析
2024-02-22
型号: 4N06L30-VB
丝印: VBE1638
品牌: VBsemi
参数:
- N沟道
- 额定电压：60V
- 最大电流：45A
- 开通电阻：24mΩ @ 10V, 28mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压：1.8V (Vth)
- 封装：TO252
应用简介:
4N06L30-VB是一款N沟道功率MOSFET，适用于各种高功率和高电压应用。这款器件在以下领域和应用模块中具有广泛的应用：
1. 电源管理模块: 4N06L30-VB可用于高功率电源开关，如电源逆变器、开关稳压器和电池充电器，以提供高效的电源管理。
2. 电机驱动模块: 在高功率电机控制应用中，它可以用来实现电机的高效驱动和控制，如工业电机、电动汽车电机等。
3. 汽车电子: 适用于汽车电子模块，如发动机控制、电动座椅、车载充电器等。
4. 工业自动化: 在工业控制和自动化应用中，可用于控制和保护高功率电路。
4N06L30-VB由于其高电压和电流承受能力，以及低导通电阻，适用于需要高功率开关和电源管理的领域，为系统提供高效、可靠的电源解决方案。
