AP2303GN-VB一种SOT23-3封装Single-P-Channel场效应管
2024-12-12
### 一、产品简介
AP2303GN-VB是一款单P沟道MOSFET，采用SOT23-3封装。它具备负漏源电压和优秀的导通特性，适用于需要高效电力控制和保护的应用场景。这款MOSFET设计紧凑，能够提供可靠的开关性能和稳定的电流控制，适合于小型电子设备和便携式应用。
### 二、详细参数说明
- **封装类型**: SOT23-3
- **配置**: 单P沟道
- **漏源电压 (VDS)**: -30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 54mΩ @ VGS = 4.5V
- 46mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: -5.6A
- **技术类型**: Trench
### 三、适用领域和模块举例
1. **便携式电子设备**：由于AP2303GN-VB封装紧凑且具有良好的功率管理特性，适合于便携式电子设备，如智能手机、平板电脑和便携式电源。其低导通电阻和高效能力可以提高电池寿命和设备运行时间。
2. **电池保护电路**：在电池管理系统中，这款MOSFET可以用作电池保护和充放电控制器。其快速响应和低功耗特性有助于保护电池免受过电流和过压的损害，延长电池使用寿命。
3. **功率开关控制**：AP2303GN-VB适用于各种功率开关控制应用，如电源开关、DC-DC转换器和充电器。其高电流承受能力和稳定的电气特性能够确保设备在高负载和不稳定电源条件下的可靠运行。
4. **LED照明驱动**：在LED照明系统中，这款MOSFET可以用于LED驱动电路和电源管理模块。其低导通电阻和高效能力可以提升LED照明系统的亮度和能效，适用于室内和室外的照明应用。
通过其紧凑的封装和优越的电气性能，AP2303GN-VB适合于需要高效电力控制和稳定性的多种便携式和小型电子设备应用。
