BUK453-500B-VB一种Single-N沟道TO220封装MOS管
2025-01-13
## 产品简介
**型号：BUK453-500B-VB**
BUK453-500B-VB是一款高耐压N沟道MOSFET，封装为TO220。这款MOSFET设计用于高达650V的漏源电压，非常适合高电压应用。它采用Plannar技术，具有较高的耐压能力和相对较大的导通电阻。尽管其导通电阻较高，但它的高电压承受能力和稳定的开关性能使其在特定高电压应用中表现出色。
## 详细参数说明
- **封装类型**：TO220
- **配置**：单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**：650V
- **栅源电压 (VGS)**：±30V
- **阈值电压 (Vth)**：3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 3900mΩ @ VGS=4.5V
- 3120mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：2A
- **技术**：Plannar
## 应用领域和模块示例
**1. 高电压电源开关**
BUK453-500B-VB适用于高电压电源开关应用，如高压DC-DC转换器和电源管理模块。其650V的耐压能力使其能够可靠地处理高电压电源的开关控制，尽管导通电阻较高，但仍能有效支持高压环境中的电力管理需求。
**2. 逆变器**
在逆变器系统中，例如用于高压太阳能发电的逆变器，BUK453-500B-VB能够处理高电压直流电源的转换。它的高电压承受能力使其适合处理大功率逆变器中的高电压输入和输出。
**3. 高压工业应用**
在高压工业应用中，如电力供应和电源保护电路，BUK453-500B-VB能够提供稳定的开关控制。其高耐压和良好的开关性能使其适合用于高压保护和电流控制，确保系统的可靠性和安全性。
**4. 电子电源保护**
在电子设备的电源保护电路中，BUK453-500B-VB可用于高压开关和电流保护应用。其高电压耐受能力和稳定性能够有效保护电子设备免受高电压冲击，确保设备的安全运行。
综上所述，BUK453-500B-VB凭借其650V的耐压能力、2A的电流处理能力和相对较高的导通电阻，在高电压电源开关、逆变器、高压工业应用和电子电源保护等领域中具有广泛的应用潜力。
