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BSC014N03LS G-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2025-01-08
### 产品简介
**BSC014N03LS G-VB** 是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用Trench技术制造。该MOSFET具有30V的漏源电压（VDS）和最大20V的栅源电压（VGS），适用于高电流、高开关频率的应用。其低导通电阻特性使其在高效能的功率转换和开关应用中表现优异。
### 参数说明
- **型号**: BSC014N03LS G-VB
- **封装**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压（VDS）**: 30V
- **栅源电压（VGS）**: ±20V
- **阈值电压（Vth）**: 1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**:
- 2.5mΩ @ VGS = 4.5V
- 1.8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流（ID）**: 160A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
**BSC014N03LS G-VB** 主要适用于以下领域和模块：
1. **电源管理**: 在高效率电源转换器中使用，如DC-DC转换器，能够有效降低功率损耗。
2. **开关电路**: 在需要高开关频率和低导通电阻的开关电路中，如逆变器和功率放大器。
3. **电机驱动**: 用于电机驱动模块中，提供稳定的电流控制，提升电机的整体效率。
4. **汽车电子**: 适合用于汽车电子系统中，如电动助力转向系统，保证高可靠性的电流传输和控制。
通过这些应用，可以显著提升系统的性能和效率。
