BSC123N10LS G-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2025-01-08
### 一、产品简介
**型号：BSC123N10LS G-VB**
BSC123N10LS G-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用DFN8(5x6)封装。该MOSFET利用先进的Trench技术制造，具有较低的导通电阻和良好的电流处理能力，适合用于高效能的电源管理和开关应用。BSC123N10LS G-VB支持高达100V的漏源电压（VDS）和±20V的栅源电压（VGS），其门槛电压（Vth）为2.5V，确保在适中的栅极电压下能够可靠开启。该MOSFET在4.5V栅极电压下的导通电阻（RDS(ON)）为12.36mΩ，在10V栅极电压下为9mΩ，能够提供高达65A的连续漏极电流（ID）。这使其在高电压和高电流需求的应用中表现出色。
### 二、详细的参数说明
- **型号**: BSC123N10LS G-VB
- **封装**: DFN8(5x6)
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压（VDS）**: 100V
- **栅源电压（VGS）**: ±20V
- **门槛电压（Vth）**: 2.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**:
- @VGS = 4.5V: 12.36mΩ
- @VGS = 10V: 9mΩ
- **连续漏极电流（ID）**: 65A
- **技术**: Trench
### 三、应用领域和模块举例
**电源管理系统**：BSC123N10LS G-VB在电源管理系统中的应用十分广泛。由于其高电压承受能力和较低的导通电阻，这款MOSFET非常适合用于DC-DC转换器和开关电源中，能够提高系统效率并减少功耗，适用于计算机电源、电源适配器和通信设备中的电源管理模块。
**电动汽车**：在电动汽车的电机驱动和电池管理系统中，BSC123N10LS G-VB的高电流能力和高电压承受能力使其能够处理电动汽车中的高电流和高电压需求。其低RDS(ON)特性有助于减少能量损耗，提高电动汽车的性能和续航能力。
**工业电源**：BSC123N10LS G-VB适用于高功率工业电源应用，如变频器和高功率电源供应单元。其高电压和高电流能力确保了系统在处理高功率负载时的高效稳定，适合在各种工业电源和动力系统中使用。
**LED驱动器**：对于高功率LED照明应用，BSC123N10LS G-VB的低导通电阻有助于减少功耗和热量，提高LED的工作效率和使用寿命。其性能特点使其在高亮度LED照明系统和LED驱动模块中表现优异。
**高压开关**：在需要高电压和高电流开关的应用中，如电机控制和功率转换模块，BSC123N10LS G-VB能够提供稳定的开关性能。其高电压承受能力和较低导通电阻使其成为高压开关系统的理想选择。
