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BSH101-VB一种Single-N沟道SOT23-3封装MOS管
2025-01-08
### 产品简介
**BSH101-VB** 是一款单通道 N 型 MOSFET，封装形式为 SOT23-3。此器件专为低电流和中等电压应用设计，具有较高的漏极-源极耐压（60V）和较低的 RDS(ON)（2800mΩ @ VGS=10V）。最大漏极电流为 0.3A，阈值电压为 1.7V，栅极-源极耐压为 ±20V。该 MOSFET 采用沟道工艺（Trench），适合小型电子设备和低功耗应用。
### 详细参数说明
- **型号**: BSH101-VB
- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单通道 N 型 MOSFET
- **漏极-源极耐压 (VDS)**: 60V
- **栅极-源极耐压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **RDS(ON)**: 3100mΩ @ VGS = 4.5V
- **RDS(ON)**: 2800mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 0.3A
- **技术**: 沟道工艺 (Trench)
### 应用领域和模块
**BSH101-VB** 适用于以下领域和模块：
1. **低功耗开关**：用于低电流开关电路，如小型电源开关和信号切换，适合手持设备和小型电子产品。
2. **电池管理**：在低电压电池管理系统中使用，提供高效的开关控制，适合便携式设备和低功耗电子产品。
3. **小型电机控制**：应用于低功耗电机驱动系统，如小型风扇、电动玩具和自动化设备。
4. **LED 驱动**：在小型 LED 驱动电路中提供稳定的开关控制，适合低功耗照明应用。
5. **通信设备**：用于通信设备中的开关和保护电路，确保可靠的信号传输和设备保护。
