AON6912-VB一种Half-Bridge-N+N沟道DFN8(5X6)-C封装MOS管
2024-12-06
### 产品简介
**AON6912-VB** 是一款高性能半桥N+N沟道MOSFET，采用DFN8(5X6)-C封装。它具有低导通电阻和高电流承载能力，适合需要高效能和高功率密度的电源管理和开关应用。
### 详细参数说明
- **产品型号**: AON6912-VB
- **封装类型**: DFN8(5X6)-C
- **配置**: 半桥N+N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 30V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 4mΩ @ VGS = 4.5V
- 3.4mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 60A
- **技术类型**: Trench
### 应用领域和模块示例
**AON6912-VB** MOSFET 在以下领域和模块中具有广泛的应用：
1. **电动工具**：
在高性能电动工具的电机驱动系统中，AON6912-VB 可以作为半桥驱动器的一部分。其低导通电阻和高电流承载能力确保了电动工具的高效能和长寿命。
2. **电动汽车**：
在电动汽车的电力电子系统中，AON6912-VB 可以用作电机控制器和电池管理系统的重要组成部分。它能够提供稳定的电源转换和高效的电机驱动能力，支持车辆的高速运行和长途驾驶。
3. **工业自动化**：
在工业控制系统中，特别是需要高电流开关和驱动的应用中，AON6912-VB 可以用于PLC、伺服驱动器和工业机器人系统中。它的高导通电流和低导通电阻使得系统能够实现快速响应和高效能的操作。
4. **电源模块**：
在需要高效率和高功率密度的电源模块中，AON6912-VB 可以用于DC-DC转换器、逆变器和开关电源中。它能够提供稳定的输出电压和高效的能量转换，适用于通信设备、服务器和工业设备等领域。
通过其卓越的电气特性，AON6912-VB 成为各种高性能、高功率要求的电源管理和控制应用的理想选择。
