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B15S60L-VB一种Single-N沟道TO263封装MOS管
2025-01-06
### 产品简介
**B15S60L-VB** 是一款采用 TO263 封装的单级 N 沟道 MOSFET。该器件使用 SJ_Multi-EPI 技术，提供高耐压和适中的导通电阻，适合中高电压和中电流的应用。
### 参数说明
- **封装**：TO263
- **配置**：单级 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**：650V
- **栅源电压 (VGS)**：±30V
- **栅极阈值电压 (Vth)**：3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：300mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流 (ID)**：15A
- **技术**：SJ_Multi-EPI
### 适用领域和模块示例
1. **电力转换器**：B15S60L-VB 的高漏源电压特性使其适用于高电压电力转换器，能在高电压条件下稳定工作，适合用于电源管理和电力转换应用。
2. **开关电源**：在开关电源模块中，适合用作高电压开关，能够处理较高电压和电流，同时提供稳定的电流控制。
3. **电动汽车**：该 MOSFET 可用于电动汽车的电池管理系统和电机驱动模块，处理高电压和中电流负载，提高系统的效率和安全性。
4. **工业控制**：在工业控制系统中，该 MOSFET 可以作为开关组件，用于高电压控制电路，提升系统的可靠性和性能。
