AP2762I-H-HF-VB一种Single-N沟道TO220F封装MOS管
2024-12-12
### 产品简介
AP2762I-H-HF-VB是一款单N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（N-Channel MOSFET），采用TO220F封装，适用于高压应用。该型号晶体管具有高电压耐受能力和稳定的性能特性，适合于各种要求严格的电源控制和开关应用。
### 详细参数说明
- **型号**：AP2762I-H-HF-VB
- **封装**：TO220F
- **配置**：单N沟道
- **漏源极电压（VDS）**：700V
- **栅源极电压（VGS）**：30V（±V）
- **阈值电压（Vth）**：3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：1100mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流（ID）**：5A
- **技术**：SJ_Multi-EPI（多重外延结构）
### 应用领域和模块示例
AP2762I-H-HF-VB MOSFET适用于许多需要高电压和稳定性能的应用场合，以下是几个具体的应用示例：
1. **电源逆变器**：
在工业电源和太阳能逆变器中，AP2762I-H-HF-VB可用于直流到交流的电能转换过程中，提供稳定的功率转换和高效的能源利用。
2. **电动车充电器**：
作为电动车充电系统中的关键部件，该型号MOSFET能够处理高电压和大电流，确保充电效率和安全性。
3. **高压电源管理**：
在工业自动化和高压电源系统中，AP2762I-H-HF-VB用于电源管理和开关控制，提供可靠的电源稳定性和效率。
4. **医疗设备**：
用于医疗设备中的电源控制和驱动器件，保证设备运行的稳定性和可靠性，满足医疗设备的严格要求。
5. **电动工具**：
在高性能电动工具中，AP2762I-H-HF-VB可以用作电机驱动控制器，实现高效能量转换和可靠的工具操作。
AP2762I-H-HF-VB因其高电压承受能力、低导通电阻和稳定的性能而被广泛应用于各种工业和消费电子设备中，是电源管理和高压控制领域中的理想选择。
