AP4513GD-VB一种Dual-N+P沟道DIP8封装MOS管
2024-12-16
### AP4513GD-VB 产品简介
AP4513GD-VB 是一款双N+P沟道MOSFET，采用DIP8封装和沟槽技术制造。该器件结合了N沟道和P沟道的优势，适用于需要同时控制正负电压的电路设计，提供低导通电阻和高电流处理能力。
### AP4513GD-VB 详细参数说明
- **封装类型**：DIP8
- **配置**：双N+P沟道
- **击穿电压 (VDS)**：±30V
- **栅极-源极电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：
- N沟道：±1V
- P沟道：±1V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- N沟道：30mΩ @ VGS=4.5V，25mΩ @ VGS=10V
- P沟道：30mΩ @ VGS=4.5V，25mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：
- N沟道：7.2A
- P沟道：-5A
- **技术**：沟槽（Trench）
### AP4513GD-VB 应用领域及模块
AP4513GD-VB 可以在以下领域和模块中得到应用：
1. **电源管理**：
- 适用于需要同时控制正负电压的开关电源、DC-DC转换器和功率逆变器中。其双N+P沟道结构能够提供高效的电流控制和低导通电阻，实现高效能的电源管理和功率转换。
2. **汽车电子**：
- 在汽车电子系统中，特别是电池管理系统、电动车辆的电动机驱动控制和车载电源管理中，AP4513GD-VB 可以提供可靠的电流开关和功率转换，确保系统的稳定性和高效能。
3. **工业自动化**：
- 用于工业控制系统中的电动机驱动、电源逆变和功率控制。其高电流处理能力和低导通电阻使其适合于工业自动化设备的高效能电源管理和电机控制。
4. **通信设备**：
- 在通信基站和网络设备的电源管理和功率分配中，AP4513GD-VB 可以提供可靠的电流开关和高效能的功率转换，确保设备的稳定运行和节能设计。
5. **消费电子**：
- 在智能手机、平板电脑和笔记本电脑等消费电子设备的电源管理和电池保护电路中，其高效的电流控制和低功耗特性能够提升设备的性能和续航能力。
通过其双N+P沟道设计和优秀的电性能特点，AP4513GD-VB 适用于多种需要高效能、高可靠性和高电流处理能力的电子和电气应用领域。
