BUK662R4-40C-VB一种Single-N沟道TO263封装MOS管
2025-01-15
### BUK662R4-40C-VB 产品简介
**BUK662R4-40C-VB** 是一款高性能单N沟道功率MOSFET，封装形式为 TO263。采用 Trench 技术制造，该 MOSFET 具有极低的导通电阻和高电流承载能力，设计用于高效能的电源管理和开关应用。其特性使其能够在高负载条件下稳定工作，适用于需要高效能和高可靠性的场景。
### 详细参数说明
- **封装（Package）：** TO263
- **配置（Configuration）：** 单N沟道
- **最大漏源电压（VDS）：** 40V
- **最大栅源电压（VGS）：** ±20V
- **阈值电压（Vth）：** 3V
- **导通电阻（RDS(on)）：**
- 2.5mΩ（在 VGS = 4.5V 时）
- 2mΩ（在 VGS = 10V 时）
- **最大连续漏极电流（ID）：** 150A
- **技术（Technology）：** Trench
### 适用领域与模块举例
**BUK662R4-40C-VB** 的高电流和低导通电阻特性使其非常适合以下领域和模块：
1. **高效电源管理：**
由于其低导通电阻和高电流承载能力，BUK662R4-40C-VB 是高效电源转换模块的理想选择。例如，在 DC-DC 转换器和电源供应器中，该 MOSFET 可以有效地降低功耗，提高系统效率，处理高负载条件。
2. **电动汽车：**
在电动汽车的电源系统中，该 MOSFET 可用于电池管理系统（BMS）中，控制电池的充电和放电过程。其高电流处理能力和低功耗特性保证了电池管理的高效和安全，优化电池的性能和寿命。
3. **开关电源：**
在高功率开关电源应用中，如逆变器和功率放大器，BUK662R4-40C-VB 的高电流能力和低导通电阻能够保持开关过程中的高效性和稳定性，适用于高负载和高频率的开关应用。
4. **工业自动化：**
在工业自动化系统中，如电机驱动和负载控制，BUK662R4-40C-VB 能够提供稳定的电流开关能力。其低导通电阻和高电流承载能力使其适用于高负载和高效能的工业应用。
5. **消费电子：**
在消费电子产品如笔记本电脑和电视机的电源管理模块中，这款 MOSFET 可用于优化电源供应，提高产品的稳定性和能效。其优秀的开关性能和低能耗特性有助于提升整体设备的性能和使用寿命。
总之，BUK662R4-40C-VB 是一款高效能、高可靠性的 MOSFET，能够满足高电流和低功耗的应用需求，广泛应用于电源管理、电动汽车、开关电源和工业自动化等领域。
