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2SJ598-Z-E1-AZ-VB一款P沟道TO252封装MOSFET应用分析
2024-02-21
型号：2SJ598-Z-E1-AZ-VB
丝印：VBE2610N
品牌：VBsemi
参数：
- P沟道
- 最大耐压：-60V
- 最大漏电流：-38A
- 静态导通电阻（RDS(ON)）：61mΩ @ 10V, 72mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压（Vth）：-1.3V
- 封装：TO252
应用简介：
这款2SJ598-Z-E1-AZ-VB是一款P沟道场效应晶体管，适用于多种电子应用领域。其低导通电阻和耐压特性使其非常适合用于功率控制和开关电路。该器件在负责电源管理和功率放大的应用中表现出色。
领域模块应用：
1. 电源管理模块：2SJ598-Z-E1-AZ-VB可用于开关电源、稳压器等电源管理模块，以提供高效的电能控制。
2. 功率放大模块：它也可以用于放大信号的模块，如音频放大器，以增强音频信号的放大效果。
3. 开关电路：由于其P沟道特性，它适用于各种开关电路，如开关模式电源和电子开关。
这些特性和应用使2SJ598-Z-E1-AZ-VB在电子行业中具有广泛的用途。
