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BSC047N08NS3 G-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2025-01-08
### 产品简介
**BSC047N08NS3 G-VB** 是一款高电压、高电流单N沟道MOSFET，采用Trench技术制造。其封装为DFN8 (5x6)，设计用于高功率和高电压应用。该MOSFET具有80V的漏源电压（VDS）和最大20V的栅源电压（VGS），在各种苛刻环境中提供可靠的开关性能和较低的导通电阻，适合用于高效能电源管理和电动驱动系统。
### 参数说明
- **型号**: BSC047N08NS3 G-VB
- **封装**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压（VDS）**: 80V
- **栅源电压（VGS）**: ±20V
- **阈值电压（Vth）**: 3V
- **导通电阻（RDS(ON)）**:
- 7mΩ @ VGS = 4.5V
- 5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流（ID）**: 60A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
**BSC047N08NS3 G-VB** 适用于以下领域和模块：
1. **高压电源管理**: 在80V电源转换器和DC-DC转换器中使用，有助于优化功率损耗，提升整体系统的能效和可靠性。
2. **电动驱动系统**: 适用于电动汽车、工业电动机驱动等应用，能够处理高电流和高电压负载，确保系统稳定运行。
3. **开关电路**: 在高功率开关电路中，如逆变器和电源开关模块，提供稳定的开关性能和低导通电阻，提升系统效率。
4. **工业自动化**: 用于高电压工业设备中，支持高电流应用，提高系统的可靠性和耐用性。
该MOSFET的高电压和大电流特性，使其在多个高负载、高功率的应用场景中表现卓越。
