BUK663R7-75C-VB一种Single-N沟道TO263封装MOS管
2025-01-15
### 产品简介
BUK663R7-75C-VB 是一款高性能单N沟道MOSFET，采用TO263封装。这款MOSFET使用先进的沟槽技术，具有极低的导通电阻和卓越的电流处理能力。它特别适用于需要高电流和高效能的应用场景，如电源管理和高功率开关。
### 详细参数说明
- **型号**：BUK663R7-75C-VB
- **封装**：TO263
- **配置**：单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**：80V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 10mΩ（VGS = 4.5V）
- 5mΩ（VGS = 10V）
- **漏极电流 (ID)**：215A
- **技术**：沟槽技术
### 适用领域和模块举例
1. **高功率电源管理**：BUK663R7-75C-VB 的低导通电阻和高电流处理能力使其非常适合用于高功率电源管理系统，例如开关电源（SMPS）和DC-DC转换器。它能够显著减少能量损耗，提高整体电源效率，并确保在高负载情况下的稳定运行。
2. **电动汽车**：在电动汽车应用中，该MOSFET 可用于电池管理系统和电机驱动系统。其高电流能力和低导通电阻能够满足电动汽车在高负载和高电流情况下的需求，从而提升车辆性能和电池寿命。
3. **工业控制系统**：BUK663R7-75C-VB 在工业控制系统中表现出色，如高功率电机控制和负载开关。其高电流处理能力和低导通电阻在严苛的工业环境下提供了可靠的性能，确保系统的高效运行和长寿命。
4. **不间断电源（UPS）**：在UPS系统中，BUK663R7-75C-VB 可以有效地管理电力转换和负载切换。其高电流处理能力和低导通电阻保证了系统在断电情况下的稳定供电，是确保UPS系统高可靠性和高效率的理想选择。
BUK663R7-75C-VB 的优越电气性能和高电流处理能力，使其在各种高要求应用中表现出色，为现代电子设备提供了高效、可靠的解决方案。
