AP88N30W-VB一种Single-N沟道TO3P封装MOS管
2024-12-19
### 1. 产品简介详细：
AP88N30W-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 TO3P 封装，主要设计用于高压和高功率的应用场合。该器件采用了 SJ_Multi-EPI 技术，具有优异的耐压能力和稳定性，适合于要求高电压和高电流的功率开关电路设计。
### 2. 详细的参数说明：
- **封装类型**: TO3P
- **通道类型**: 单 N 沟道
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**: 500V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通时的静态电阻 (RDS(ON))**:
- @ VGS = 10V: 60mΩ
- **漏极电流 (ID)**: 最大值 47A
- **技术特点**: SJ_Multi-EPI 结构，提供高压和高电流承载能力，适合用于工业电源、电动车辆充电桩、电源逆变器和其他要求高稳定性和高效能的应用场合。
### 3. 应用示例：
- **电动车辆充电桩**: AP88N30W-VB 可以作为电动车辆充电桩中的功率开关，用于控制充电过程中的电能转换和保护电路，确保高效率和安全的充电操作。
- **工业电源**: 在工业设备和电源系统中，该器件可以用作高压开关电路的主要元件，支持稳定的电能转换和电力分配，适用于工厂自动化和机械设备。
- **电源逆变器**: 在太阳能逆变器和其他电源逆变器中，AP88N30W-VB 可以作为直流到交流的关键开关器件，提供高效的能量转换和稳定的输出电压，适合用于可再生能源应用和电网连接系统。
- **医疗设备**: 在要求高稳定性和安全性的医疗设备中，如医疗成像设备和电子医疗设备中，该器件可以用作高压电源开关，确保设备运行的稳定性和可靠性。
这些示例展示了 AP88N30W-VB 在多个领域中的适用性，显示了其在高压、高功率应用中的关键作用和实际应用场景。
